MURB1620CTG, NRVUB1620CTT4G
http://onsemi.com
2
MAXIMUM RATINGS (Per Leg)
Rating
Symbol
Value
Unit
Peak Repetitive Reverse Voltage
Working Peak Reverse Voltage
DC Blocking Voltage
V
V
RRM
RWM
VR
200
V
Average Rectified Forward Current
(Rated VR, TC
= 150
°C) Total Device
IF(AV)
8.0
16
A
Peak Repetitive Forward Current
(Rated VR, Square Wave, 20 kHz, TC
= 150
°C)
IFM
16
A
Non?Repetitive Peak Surge Current
(Surge Applied at Rated Load Conditions Halfwave, Single Phase, 60 Hz)
IFSM
100
A
Operating Junction and Storage Temperature Range
TJ, Tstg
?65 to +175
°C
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum Ratings are stress ratings only. Functional operation above t
he
Recommended
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the Recommended Operating Conditions may affect
device reliability.
THERMAL CHARACTERISTICS (Per Leg)
Characteristic
Symbol
Value
Unit
Maximum Thermal Resistance, Junction?to?Case
RJC
3
°C/W
Maximum Thermal Resistance, Junction?to?Ambient
RJA
50
°C/W
Temperature for Soldering Purposes: 1/8″
from Case for 5 Seconds
TL
260
°C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Per Leg)
Characteristic
Symbol
Max
Unit
Maximum Instantaneous Forward Voltage (Note 1)
(iF
= 8 A, T
C
= 150
°C)
(iF
= 8 A, T
C
= 25
°C)
vF
0.895
0.975
V
Maximum Instantaneous Reverse Current (Note 1)
(Rated DC Voltage, TC
= 150
°C)
(Rated DC Voltage, TC
= 25
°C)
iR
250
5
A
Maximum Reverse Recovery Time
(IF
= 1 A, di/dt = 50 A/
s)
(IF
= 0.5 A, i
R
= 1 A, I
REC
= 0.25 A)
trr
35
25
ns
1. Pulse Test: Pulse Width = 300 s, Duty Cycle ≤
2.0%
VR, REVERSE VOLTAGE (V)
I
R
, REVERSE CURRENT (
μ
0.01
0
0.04
0.2
1
4
20
100
400
1.0 K
20 60 100 140 180
200
160
120
80
40
100
50
20
, INSTANTANEOUS FORWARD CURRENT (AMPS)
i
F
10
5.0
2.0
0.10.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2
vF, INSTANTANEOUS VOLTAGE (V)
Figure 1. Typical Forward Voltage, Per Leg
0.71.0
0.3
100°C
25°C
TJ
= 175
°C
100°C
25°C
TJ
= 175
°C
10 K
Figure 2. Typical Reverse Current, Per Leg*
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。
相关PDF资料
MURB1660CTT4G
DIODE ULTRA FAST 8A 600V D2PAK
MURF1620CT
DIODE ULT FAST 200V 8A TO-220FP
MURF1660CT
DIODE ULTRA FST 600V 8A TO220FP
MURH840CT
DIODE ULTRA FAST 400V 4A TO220AB
MURH860CT
DIODE ULTRA FAST 600V 4A TO220AB
MURHB840CT
DIODE ULTRA FAST 400V 4A D2PAK
MURHB860CTG
DIODE ULTRA FAST 600V 4A D2PAK
MURHF860CT
DIODE ULT FAST 600V 4A TO-220FP
相关代理商/技术参数
MURB1620CTP
制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Ultrafast Rectifier, 2 x 8 A FRED Pt
MURB1620CTPBF
功能描述:DIODE ULTRA FAST 200V 8A D2PAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 二极管，整流器 - 阵列 系列:FRED Pt™ 其它有关文件:STTH10LCD06C View All Specifications 标准包装:1,000 系列:- 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）:2V @ 5A 电流 - 在 Vr 时反向漏电:1µA @ 600V 电流 - 平均整流 (Io)（每个二极管）:5A 电压 - (Vr)（最大）:600V 反向恢复时间(trr):50ns 二极管类型:标准 速度:快速恢复 = 200mA（Io） 二极管配置:1 对共阴极 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB 供应商设备封装:D2PAK 包装:带卷 (TR) 产品目录页面:1553 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:497-10107-2
MURB1620CTPBF_10
制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Ultrafast Rectifier, 2 x 8 A FRED Pt
MURB1620CTR
功能描述:整流器 200V 16A Ultrafast RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel
MURB1620CTR/D
制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:SWITCHMODE? Power Rectifier - Common Anode
MURB1620CTRG
功能描述:整流器 200V 16A Ultrafast Common Anode RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel
MURB1620CTRT4
功能描述:整流器 200V 16A Ultrafast RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel
MURB1620CTRT4G
功能描述:整流器 200V 16A Ultrafast Common Anode RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel